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    性能特點
    采用CSTBTTM硅片技術
    飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
    比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%,在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
    成本優化的封裝
    內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層,熱阻小
    模塊內部寄生電感小
    功率循環能力顯著改善
    應用領域
    適合中、低端變頻器產品設計
    封裝尺寸


    IGBT Modules (A series)

    電路拓撲 VCES(V) Ic(A)
    75 100 150 200 300 400 600
    2單元 1200   CM100DY
    -24A
    (45KB)
    CM150DY
    -24A
    (45KB)
    CM200DY
    -24A
    (45KB)
    CM300DY
    -24A
    (45KB)
    CM400DY
    -24A
    (48KB)
    CM600DY
    -24A
    (49KB)
    1700 CM75DY
    -34A

    (110KB)
    CM100DY
    -34A

    (101KB)
    CM150DY
    -34A

    (121KB)
    CM200DY
    -34A

    (102KB)
    CM300DY
    -34A

    (100KB)
    CM400DY
    -34A

    (126KB)
     
    1單元 1200V             CM600HA
    -24A

    (117KB)
              CM400HA
    -24A

    (118KB)
    CM600HB
    -24A











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