英飛凌
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           博飛宏大全國總代理
           
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          性能特點
          采用CSTBTTM硅片技術
          飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
          比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%,在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
          成本優化的封裝
          內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層,熱阻小
          模塊內部寄生電感小
          功率循環能力顯著改善
          應用領域
          適合中、低端變頻器產品設計
          封裝尺寸


          IGBT Modules (A series)

          電路拓撲 VCES(V) Ic(A)
          75 100 150 200 300 400 600
          2單元 1200   CM100DY
          -24A
          (45KB)
          CM150DY
          -24A
          (45KB)
          CM200DY
          -24A
          (45KB)
          CM300DY
          -24A
          (45KB)
          CM400DY
          -24A
          (48KB)
          CM600DY
          -24A
          (49KB)
          1700 CM75DY
          -34A

          (110KB)
          CM100DY
          -34A

          (101KB)
          CM150DY
          -34A

          (121KB)
          CM200DY
          -34A

          (102KB)
          CM300DY
          -34A

          (100KB)
          CM400DY
          -34A

          (126KB)
           
          1單元 1200V             CM600HA
          -24A

          (117KB)
                    CM400HA
          -24A

          (118KB)
          CM600HB
          -24A











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