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        產品中心
     BiMOSFETs
     
    Features:
    • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
    • Ic(25): 5.7A-70A
    • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
    • combined strengths of MOSFET & IGBT
    • Fast and equally rated Body Diode
    • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
    • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
     
     

    PartNumber

     

    VCES

    (V)

    IC25
    TC=25°C

    (A)

    IC90
    TC=90°C

    (A)

    IC110
    TC=110°C

    (A)

    VCE(sat)
    typ
    TJ=25°C

    (V)

    tftyp
    TJ=25°C

    (ns)

    TJ tfityp =25°C

    (ns)

    Gatedrive

    (V)

    RthJC
    max

    (°C/W)

    PackageStyle

     

    IXBH2N250

    2500

    5

     

    2

    3.5

    182

     

    15

    3.9

    TO-247

    IXBT2N250

    2500

    5

     

    2

    3.5

    182

     

    15

    3.9

    TO-268

    IXBX25N250

    2500

    55

    25

     

    3.3

    640

     

     

    0.42

    PLUS247

    IXBL64N250

    2500

    116

     

    46

    3

    170

     

     

    0.25

    ISOPLUS I5-PAK

    IXBK64N250

    2500

    156

     

    64

    3

    170

     

     

    0.17

    TO-264

    IXBX64N250

    2500

    156

     

    64

    3

    170

     

     

    0.17

    PLUS247

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