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        產品中心
    BiMOSFETs
     
    Features:
    • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
    • Ic(25): 5.7A-70A
    • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
    • combined strengths of MOSFET & IGBT
    • Fast and equally rated Body Diode
    • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
    • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
     
     

    PartNumber

     

    VCES

    (V)

    IC25
    TC=25°C

    (A)

    IC90
    TC=90°C

    (A)

    IC110
    TC=110°C

    (A)

    VCE(sat)
    typ
    TJ=25°C

    (V)

    tftyp
    TJ=25°C

    (ns)

    TJ tfityp =25°C

    (ns)

    Gatedrive

    (V)

    RthJC
    max

    (°C/W)

    PackageStyle

     

    IXBF12N300

    3000

    22

    12

     

    3.2

    540

     

    15

    1.25

    ISOPLUS I4-PAK

    IXBF20N300

    3000

    27

    15

     

    3.2

    504

     

    15

    1.13

    ISOPLUS I4-PAK

    IXBH12N300

    3000

    30

     

     

    3.2

    530

     

    15

    0.78

    TO-247

    IXBT12N300

    3000

    30

     

    12

    3.2

    540

     

    15

    0.78

    TO-268

    IXBF32N300

    3000

    40

    22

     

    3.2

    630

     

    15

    0.78

    ISOPLUS I4-PAK

    IXBH20N300

    3000

    50

     

    20

    3.2

    504

     

    15

    0.5

    TO-247

    IXBT20N300

    3000

    50

     

    20

    3.2

    504

     

    15

    0.5

    TO-268

    IXBF55N300

    3000

    73

     

    28

    3.2

    268

     

    15

    0.43

    ISOPLUS I4-Pak

    IXBH32N300

    3000

    80

     

    32

    3.2

    720

     

    15

    0.31

    TO-247

    IXBT32N300

    3000

    80

     

    32

    3.2

    720

     

    15

    0.31

    TO-268

    IXBK55N300

    3000

    130

     

    55

    3.2

    268

     

     

    0.2

    TO-264

    IXBX55N300

    3000

    130

     

    55

    3.2

    268

     

     

    0.2

    PLUS247

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