英飛凌
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          電話:0532-66760325
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          BiMOSFETs
           
          Features:
          • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
          • Ic(25): 5.7A-70A
          • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
          • combined strengths of MOSFET & IGBT
          • Fast and equally rated Body Diode
          • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
          • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
           
           

          PartNumber

           

          VCES

          (V)

          IC25
          TC=25°C

          (A)

          IC90
          TC=90°C

          (A)

          IC110
          TC=110°C

          (A)

          VCE(sat)
          typ
          TJ=25°C

          (V)

          tftyp
          TJ=25°C

          (ns)

          tfityp
          TJ=25°C

          (ns)

          Gatedrive

          (V)

          RthJC
          max

          (°C/W)

          PackageStyle

           

          IXBH5N160G

          1600

          5.7

          3.5

           

          4.9

          70

           

          10

          1.75

          TO-247

          IXBP5N160G

          1600

          5.7

          3.5

           

          4.9

          70

           

          10

          1.75

          TO-220

          IXBF9N160G

          1600

          7

          5

           

          4.9

          70

           

          10

          1.75

          ISOPLUS i4-PAC™ (3 - Lead)

          IXBH9N160G

          1600

          9

          5

           

          4.9

          70

           

          10

          1.25

          TO-247AD

          IXBF40N160

          1600

          28

          16

           

          6.2

          40

           

          15

          0.5

          ISOPLUS i4-PAC™ (3 - Lead)

          IXBH40N160

          1600

          33

          20

           

          6.2

          40

           

          15

          0.35

          TO-247AD

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