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    BiMOSFETs
     
    Features:
    • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
    • Ic(25): 5.7A-70A
    • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
    • combined strengths of MOSFET & IGBT
    • Fast and equally rated Body Diode
    • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
    • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
     
     

    PartNumber

     

    VCES

    (V)

    IC25
    TC=25°C

    (A)

    IC90
    TC=90°C

    (A)

    IC110
    TC=110°C

    (A)

    VCE(sat)
    typ
    TJ=25°C

    (V)

    tftyp
    TJ=25°C

    (ns)

    tfityp
    TJ=25°C

    (ns)

    Gatedrive

    (V)

    RthJC
    max

    (°C/W)

    PackageStyle

     

    IXBH5N160G

    1600

    5.7

    3.5

     

    4.9

    70

     

    10

    1.75

    TO-247

    IXBP5N160G

    1600

    5.7

    3.5

     

    4.9

    70

     

    10

    1.75

    TO-220

    IXBF9N160G

    1600

    7

    5

     

    4.9

    70

     

    10

    1.75

    ISOPLUS i4-PAC™ (3 - Lead)

    IXBH9N160G

    1600

    9

    5

     

    4.9

    70

     

    10

    1.25

    TO-247AD

    IXBF40N160

    1600

    28

    16

     

    6.2

    40

     

    15

    0.5

    ISOPLUS i4-PAC™ (3 - Lead)

    IXBH40N160

    1600

    33

    20

     

    6.2

    40

     

    15

    0.35

    TO-247AD

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