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        產品中心
    Full Bridge IGBT Modules
     
    Features:
    • Vces: 600V and 1200V. Ic(25): 45A - 165A
    • NPT or NPT³ IGBT with low Vce(sat), low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness
    • short tail current for optimized performance in resonant circuits
    • Hiperfast diodes with soft recovery
    • Package with insulated copper base plate(2500V rms)and pins for PCB mounting
     
     

    PartNumber

     

    Vces

    (V)

    IC25
    Tc=25°C
    IGBT

    (A)

    IC80
    Tc=80°C
    IGBT

    (A)

    VCE(sat)
    typ
    Tj=25°C
    IGBT

    (V)

    Eoff
    typ
    Tj=125°C
    IGBT

    (mJ)

    RthJC
    max
    IGBT

    (K/W)

    IF25
    Tc=25°C
    Diode

    (A)

    IF80
    Tc=80°C
    Diode

    (A)

    RthJC
    max
    Diode

    (K/W)

    Configuration

     

    PackageStyle

     

    MKI50-12F7

    1200

    65

    45

    3.2

    2.5

    0.35

    110

    70

     

    Full Bridge

    E2

    MKI50-12E7

    1200

    90

    62

    1.9

    4

    0.35

    110

    70

    0.61

    Full Bridge

    E2

    MKI100-12F8

    1200

    125

    85

    3.3

    5

    0.19

    200

    130

     

    Full Bridge

    E3

    MKI75-12E8

    1200

    130

    90

    2

    7.5

    0.25

    150

    100

    0.41

    Full Bridge

    E3

    MKI100-12E8

    1200

    165

    115

    2

    10

    0.19

    200

    130

    0.3

    Full Bridge

    E3

    MKI50-06A7

    600

    72

    50

    1.9

    1.7

    0.55

    72

    45

    1.19

    Full Bridge

    E2

    MKI80-06T6K

    600

    89

    67

    1.8

    2.8

    0.6

    105

    67

    0.65

    Full Bridge

    E1-Package

    MKI75-06A7

    600

    90

    60

    2.1

    2.5

    0.44

    140

    85

    0.61

    Full Bridge

    E2

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