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    產品中心
IPM
 第5代L系列IPM
性能特點
采用 CSTBTTM硅片實現低損耗
內置新的ASIC實現驅動和保護,通過控制柵極di/dt 減少EMI
IGBT硅片上集成溫度傳感器,過溫保護更精確(145℃)
主端子有針腳型和螺絲型兩種形式
電流等級:25A~600A
電壓等級:600V/1200V
專門針對太陽能發電開發了多種PV-IPM
應用領域
高端通用變頻器、伺服電機驅動器等
封裝尺寸
IPM (L series)
電路
拓撲
VCES(V) Ic(A)
25 50 75 100 150 200 300 450 600
6單元 600    PM50C
LA060
(116KB)
PM75C
LA060
(117KB)
PM100C
LA060
(117KB)
PM150C
LA060
(117KB)
PM200C
LA060
(126KB)
PM300C
LA060
(118KB)
PM450C
LA060
(129KB)
PM600C
LA060
(129KB)
  PM50C
LB060
(116KB)
PM75C
LB060
(117KB)
           
1200 PM25C
LA120
(117KB)
PM50C
LA120
(119KB)
PM75C
LA120
(133KB)
PM100C
LA120
(118KB)
PM150C
LA120
(117KB)
PM200C
LA120
(128KB)
PM300C
LA120
(129KB)
PM450C
LA120
(128KB)
 
PM25C
LB120
(117KB)
PM50C
LB120
(118KB)
PM75C
LB120
(132KB)
           
7單元 600    PM50R
LA060
(125KB)
PM75R
LA060
(126KB)
PM100R
LA060
(126KB)
PM150R
LA060
(126KB)
PM200R
LA060
(136KB)
PM300R
LA060
(126KB)
   
  PM50R
LB060
(125KB)
PM75R
LB060
(126KB)
           
1200 PM25R
LA120
(126KB)
PM50R
LA120
(128KB)
PM75R
LA120
(128KB)
PM100R
LA120
(127KB)
PM150R
LA120
(127KB)
       
PM25R
LB120
(125KB)
PM50R
LB120
(127KB)
PM75R
LB120
(127KB)
         

 第5代L1系列IPM
性能特點
采用全柵型 CSTBTTM硅片實現低損耗
IGBT硅片正中央處集成溫度傳感器,過溫保護更精確(145℃)
新的結線技術使功率循環能力得到顯著提高
主端子有針腳型和螺絲型兩種形式
與第5代L系列IPM兼容
新增S型七合一封裝(90mm 50mm)
完全無鉛焊接(對應RoHS指令)
應用領域
高性能變頻傳動裝置,如矢量控制變頻器、伺服驅動器等
封裝尺寸
IPM (L1 series)
電路
拓撲
VCES(V) Ic(A)
25 50 75 100 150 200 300 450 600
6單元 600    PM50C
L1A060
(142KB)
PM75C
L1A060
(142KB)
PM100C
L1A060
(143KB)
PM150C
L1A060
(142KB)
PM200C
L1A060
(142KB)
PM300C
L1A060
PM450C
L1A060
PM600C
L1A060
  PM50C
L1B060
(137KB)
PM75C
L1B060
(137KB)
           
1200 PM25C
L1A120
(143KB)
PM50C
L1A120
(143KB)
PM75C
L1A120
(144KB)
PM100C
L1A120
(141KB)
PM150C
L1A120
(141KB)
PM200C
L1A120
PM300C
L1A120
PM450C
L1A120
 
PM25C
L1B120
(136KB)
PM50C
L1B120
(137KB)
PM75C
L1B120
(137KB)
           
7單元 600    PM50R
L1A060
(152KB)
PM75R
L1A060
(152KB)
PM100R
L1A060
(153KB)
PM150R
L1A060
(152KB)
PM200R
L1A060
(149KB)
PM300R
L1A060
   
  PM50R
L1B060
(147KB)
PM75R
L1B060
(152KB)
           
1200 PM25R
L1A120
(153KB)
PM50R
L1A120
(151KB)
PM75R
L1A120
(152KB)
PM100R
L1A120
(149KB)
PM150R
L1A120
(150KB)
       
PM25R
L1B120
(145KB)
PM50R
L1B120
(145KB)
PM75R
L1B120
(145KB)
           
PM25R
L1C120
(148KB)
             

 第5代S1系列IPM
IPM (S1 series)
電路拓撲 VCES(V) Ic(A)
25 50 75 100 150 200
6單元 600   PM50C
S1D060
(133KB)
PM75C
S1D060
(134KB)
PM100C
S1D060
(134KB)
PM150C
S1D060
(134KB)
PM200C
S1D060
(135KB)
1200 PM25C
S1D120
(134KB)
PM50C
S1D120
(134KB)
PM75C
S1D120
(134KB)
PM100C
S1D120
(134KB)
   
 V1系列IPM
性能特點
替代第3代DSA系列,V系列和HSA系列IPM
采用全柵型CSTBTTM硅片具有低損耗
    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
優化片上溫度傳感器
新的結線技術顯著改善功率循環
兼容現有V系列小封裝
SXR端子提供穩壓電源供外部光耦使用(可選)
V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比,降低約20%
    (PM300DV1A120與PM300DVA120相比較)
內部框圖

應用領域
高端通用變頻器、伺服電機驅動器等
封裝尺寸
120mm×70mm
IPM (V1 series)
VCES (V) 結構 Ic(A)
200 300 400 450 600
600 2單元     PM400DV1A060 (411KB)   PM600DV1A060 (410KB)
1200 2單元 PM200DV1A120 (410KB) PM300DV1A120 (410KB)   PM450DV1A120 (412KB)  

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