性能特點
采用第5代IGBT硅片(CSTBT
TM)實現低損耗
低飽和壓降：在結溫125℃時的飽和壓降僅為1.5V
超低噪聲：軟恢復續流二極管(FWD)；新的控制電路改善EMC和EMI性能
耐功率循環能力強(High Power Cycle)
主端子有針腳型和螺絲型兩種形式
全新封裝：比第4代S-DASH系列體積縮小32％
電流等級：50A，75A
電壓等級：600V
內部功能框圖(舉例)
產品尺寸
應用領域
太陽能發電性相關產品
PV-IPM選擇表
| VCES(V) |
|
Ic(A) |
| 電路拓撲 |
50 |
75 |
| 600 |
4單元 |
PM50B4LA060  (114KB) |
PM75B4LA060 (114KB) |
| H橋 |
PM50B4LB060 (112KB) |
PM75B4LB060 (111KB) |
| 5單元 |
PM50B5LA060 (137KB) |
PM75B5LA060 (137KB) |
| H橋 + 斬波×1 |
PM50B5LB060 (134KB) |
PM75B5LB060 (134KB) |
| 6單元 |
PM50B6LA060 (140KB) |
PM75B6LA060 (140KB) |
| H橋 + 斬波×2 |
PM50B6LB060 (138KB) |
PM75B6LB060 (138KB) |
