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V1系列IPM
 V1系列IPM
性能特點
替代第3代DSA系列,V系列和HSA系列IPM
采用全柵型CSTBTTM硅片具有低損耗
    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
優化片上溫度傳感器
新的結線技術顯著改善功率循環
兼容現有V系列小封裝
SXR端子提供穩壓電源供外部光耦使用(可選)
V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比,降低約20%
    (PM300DV1A120與PM300DVA120相比較)
內部框圖

應用領域
高端通用變頻器、伺服電機驅動器等
封裝尺寸
120mm×70mm
IPM (V1 series)
VCES (V) 結構 Ic(A)
200 300 400 450 600
600 2單元     PM400DV1A060 (411KB)   PM600DV1A060 (410KB)
1200 2單元 PM200DV1A120 (410KB) PM300DV1A120 (410KB)   PM450DV1A120 (412KB)  

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